読み方：えふいーてぃー
《field-effect transistor》外部電界によって導電率を制御する半導体増幅素子。電界効果トランジスター。
電界効果トランジスタとは、電圧入力によって発生させた電界により電流を制御するトランジスタのことである。
電界効果トランジスタには、ソースとドレインのほかにゲートと呼ばれる電極が設けられている。ゲートに電圧をかけると電界が生じ、ソースとドレインの間を流れる電子（あるいは正孔）の流れを任意にせき止めて電流を制御することができる。
電界効果トランジスタは、単なるトランジスタ（バイポーラトランジスタ）に比べて小型化が容易であるため、集積回路などを構成する素子としてよく用いられている。特に、電界効果トランジスタの中でも金属酸化膜半導体（MOS）の構造をもったMOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）は、論理回路の素子としてデジタル回路の多くに使用されている。
なお、バイポーラトランジスタが電子と正孔の2種類をキャリアとして持つのに対して、電界効果トランジスタは電子か正孔のいずれか1種類だけ扱うので、バイ（2）に対してユニ（1）を意味する「ユニポーラトランジスタ」とも呼ばれる。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/04/12 19:09 UTC 版)
FET
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「高橋製作所の望遠鏡製品一覧」の記事における「FET」の解説
FET-200（2002年発売） - 対物レンズは有効径200mm焦点距離2,000mm。 FET-300 - 対物レンズは有効径300mm焦点距離2,400mm。
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