MOSFETのスイッチングのためのゲート抵抗について

http://www.nteku.com/toransistor/mosfet-swiching.aspx

リンギングを抑える

• MOSFETの物理的な成り立ち上、ゲート＝ソースはコンデンサと考えられる
• よってゲート抵抗Rとゲート＝ソース容量CでRC共振回路を組んでることになる
• ゲート抵抗Rが０に近いと時定数のRCが小さくなる＝共振周波数が大きくなる→リンギングが発生する
• 解決策として、適切なゲート抵抗Rを設置する必要がある。

計算の一例

• ゲート電流 Ig = (寄生容量1400pF) / (立ち上がり時間100ns) = 0.014
• ゲート抵抗 Rg = Vg / Ig= 5.0[V] / 0.014[A] = 357Ω;